_________________Не мешайте мешать!
С.» Ну почему Господь так долго не протянет нам руку помощи? И самое страшное: может быть он протягивает, но мы всё дольше и дольше этого не замечаем?»
Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Кто сейчас на форуме
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 15
Источник
Микросхемы маломощного высоковольтного ШИМ-преобразователя ТЕА152х
Эти микросхемы выпускаются компанией Philips, поэтому, наверное, наиболее популярны в разнообразных DVD-плеерах, телевизорах (в качестве вспомогательного стабилизатора для ждущего режима), компьютерной периферии, микроконтроллерных устройствах и всего остального, где используются микросхемы Philips. При сравнительно невысокой стоимости эти микросхемы обладают превосходными характеристиками:
• встроенный мощный полевой транзистор с максимально допустимым обратным напряжением 650 В;
• интегрированный ШИМ-контроллер, ширина импульса 75…0%;
• рабочая частота ШИМ-контроллера изменяется в широких пределах с помощью внешних резистора и конденсатора;
• встроенные схемы защиты от перегрузки (регулируемая), перегрева и короткого замыкания в нагрузке;
• включение силового транзистора в момент минимального напряжения на его стоке (valley switching) – это уменьшает нагрузку на транзистор, увеличивает КПД и снижает помехи от работы преобразователя.
Рис. 1.21. Цоколевка микросхем для поверхностного монтажа
При указанной в табл. 1.1 мощности корпус микросхемы нагревается не выше 50 °С. Микросхемы выпускаются в 8-выводном корпусе типа DIP и 14-выводном корпусе для поверхностного монтажа SOIC (кроме ТЕА1523 – она только в DIP), цоко- левка показана на рис. 1.21.
Все микросхемы взаимозаменяемые, то есть в любом устройстве можно выпаять микросхему и впаять на ее место более «старшую», при этом не требуется никаких изменений на плате.
Основные характеристики микросхем этого семейства сведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1. Микросхемы высоковольтного импульсного преобразователя серии ТЕА152х
Максимальный Сопротивление Частота
Схема внутреннего строения микросхем изображена на рис. 1.22, схема включения – на рис. 1.23.
Сразу после подачи сетевого напряжения конденсатор С4 заряжается током с вывода стока силового транзистора (вывод 8 микро-
Рис. 1.22. Схема внутреннего строения микросхем
схемы) через внутренний ключ. После того как он зарядится до напряжения выше 9,5 В, генератор микросхемы запускается, она начинает «раскачивать» трансформатор Т1, и напряжение с его обмотки II подзаряжает конденсатор С4. Эта обмотка должна содержать такое количество витков, чтобы минимальное напряжение на ней (при отсутствии нагрузки) превышало 10 В, а максимальное (про полной нагрузке) было меньше 40 В. Так как микросхема 6 работающим генератором потребляет довольно большой ток – около 1,3 мА, такое решение – единственно возможное, иначе на микросхеме будет выделяться 300(B) х 1,3(мА) = 390(мВт), то есть почти половина максимально допустимой рассеиваемой мощности (1 Вт).
Частота генератора зависит от сопротивления внешнего резистора R3 и емкости конденсатора СЗ и должна быть выше 20 кГц (иначе преобразователь будет «свистеть»), но ниже 200 кГц – иначе возрастут потери и нагрев внутреннего транзистора микросхемы. При указанных на схеме номиналах этих элементов она оптимальная и равна 100 кГц. Генератор запускается только при напряжении питания (между выводами 1 и 2) выше 9,5 В и останавливается при понижении напряжения ниже 7,5 В.
Резистор R5 – датчик тока, его сопротивление в омах должно быть в 2 раза больше максимально допустимого выходного тока микросхемы. При увеличении падения напряжения на этом резисторе до 0,5 В сработает ограничитель тока и силовой транзистор принудительно закроется. Из-за этого выходное напряжение может понизиться.
Если же падение напряжения на резисторе R5 резко повысится до 0,75 В и выше (короткое замыкание обмоток трансформатора или в нагрузке) – сработает защита от короткого замыкания, микросхема отключится до тех пор, пока не отключат и снова подадут напряжение питания. Поэтому если микросхема в схеме блока питания какого-нибудь устройства внезапно начала отказываться работать – возможно, со временем повысился потребляемый устройством ток, и сразу после старта срабатывает защита от короткого замыкания. Чтобы проверить это предположение, достаточно уменьшить сопротивление резистора R5 на 20…50%. Если преобразователь заработает – нужно всего лишь поменять резистор R5 и, возможно, заменить микросхему DA1 на более мощную.
Резистор R6 подключен к входу детектора нуля. Благодаря ему уменьшается нагрузка на силовой транзистор (то есть он слабее греется) и уменьшается подмагничивание трансформатора Т1. Детектор нуля работает совместно с детектором понижения напряжения VALLEY и обеспечивает наиболее оптимальный режим работы силового транзистора.
В схеме ограничителя выбросов используются высоковольтный быстродействующий диод VD3 и импульсный стабилитрон VD2. Такая цепочка, при использовании качественных деталей, обеспечивает устройству примерно на 5% больший КПД, чем более привычный ограничитель на диоде и параллельно соединенных резисторе и конденсаторе. Рабочее напряжение диода должно быть не менее 600 В, время обратного восстановления – не более 50 не. Стабилитрон должен быть импульсным (Transient Voltage Suppression – TVS), с напряжением стабилизации 150…200 В. Его можно заменить на Р6КЕ160 и аналогичные, использовать обычные стабилитроны нельзя!
Стабилизация выходного напряжения организована через оптрон VOl. При увеличении выходного напряжения возрастает яркость светодиода оптрона, его фототранзистор увеличивает напряжение на выводе 4 микросхемы, и ширина импульсов ШИМ уменьшается вплоть до нуля. Для защиты схемы питания микросхемы рекомендуется параллельно выводам фототранзистора подключить любой стабилитрон (на схеме не показан) с напряжением стабилизации 20…25 В.
Для преобразователя с выходной мощностью 5 Вт и работой при сетевом напряжении в диапазоне 80…276 В рекомендуется использовать трансформатор на сердечнике CE133t или CE135t (Е13/7/4), количество витков в обмотке I – 135, индуктивность 1,8 мГн, число витков в обмотке II – 22, в обмотке III – 8.
Источник
Эволюция систем управления электробритвами или особенности их схемотехники (часть 2)
Окончание. Начало в РС №7, 2016 г.
Модуль РМ электробритв „Philips HQ 3870/В, 4850/В, 4870/В, 4890/В» (NUDOS) с Ni-MH АКБ построен по схеме, приведенной на рис. 10. Она отличается от показанной на рис. 6 наличием дополнительного транзистора TS2 и контактирующего с АКБ терморезистора R4, включенного в одно из плеч мостовой схемы.
Рис. 10. Принципиальная электрическая схема модуля РМ электробритв „Philips HQ 3870/В, 4850/В, 4870/В, 4890/В»
По мере заряда АКБ ее рабочая температура повышается, поэтому зарядный ток уменьшается с 1000 до 25 мА. Это обеспечивает схема термозащиты в составе ИМС IC1 и терморезистор R4.
Модуль ТСМ в этих электробритвах также выполнен в трех вариантах: в модели HQ 4850 — по схеме рис. 7, в моделях HQ 3870 и HQ 4870 — по схеме рис. 8 и в модели HQ 4890 — по схеме рис. 9.
На рис. 11 показана принципиальная схема электробритвы „Philips HQ 665/A» („QUADRA ACTION»), в которой используются две платы: плата питания с контроллером IC типа ТЕА1522 и плата управления зарядкой АКБ на ИМС таймера IC1 типа NE555D и контроллера IC2 типа TEA1404TS.
Рис. 11. Принципиальная электрическая схема электробритвы „Philips HQ 665/А»
Электробритва может работать от входного переменного напряжения 100 240 В, в ней используется один Ni-Cd аккумулятор АА емкостью 700 мА•ч, время его зарядки составляет 1 ч, напряжение, подаваемое на мотор, составляет 1,2 В. В электробритве имеется зеленый (индицирует процесс зарядки и полную зарядку) и красный (индицирует разрядку) индикаторные светодиоды.
Полное содержание статьи доступно только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера Р&С или оформить подписку в редакции